利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅

摘要：

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.

关键词：薄膜、纳米晶硅、等离子增强化学汽相沉积、电导率

所属期刊栏目：21

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：Key Item of Beijing Scientific and Technical ProjectD0304002

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：433-438