射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究

摘要：

采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2:Sb)透明导电薄膜.利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试.讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值.当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70 %,电阻率为2.5×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.2×1021 cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2·V-1·s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求.

关键词：射频磁控溅射、透明导电薄膜、光电性能、氧气分压

所属期刊栏目：20

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：406-411