a-Si:H TFT亚阈值区SPICE模型的研究

摘要：

研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化.提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系.使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶H TFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值.

关键词：a-Si:H TFT、SPICE模型、亚阈值区

所属期刊栏目：20

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2004AA303560

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：267-272