耦合GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子特性

摘要：

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究.给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子-空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系.结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子-空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加.

关键词：耦合量子点、压电极化、自发极化、量子约束斯塔克效应、带间光跃迁

所属期刊栏目：20

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：河南省教育厅自然科学基金2003140027,2004140003;河南省高校青年骨干教师资助项目

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：190-194