10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.010
用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式.该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列.
OLED、a-Si TFT、有源驱动、穿通效应、布图设计、仿真模拟
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TN27;TN44(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314703;吉林省科技厅科研项目20010301
2004-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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