10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.004
溅射法生长高度取向ZnO的实验研究
采用直流磁控反应溅射法,在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜,并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究.结果表明N型(100)Si衬底上,ZnO(002)取向度最高,分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度高所致.
溅射、ZnO、X衍射、PL谱、晶格匹配
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TN104.3;O484.4(真空电子技术)
天津市自然科学基金013800611;天津市教委资助项目20010205;天津市重点学科建设基金
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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