有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

摘要：

研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系.还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大.认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的.

关键词：有机薄膜晶体管、阈值电压漂移、栅绝缘膜陷阱、C-V特性

所属期刊栏目：19

分类号：TN7321.5(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金90301008,20025413

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：168-173