(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

摘要：

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性.考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有意提高了V/Ш比.通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性.实验发现,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大.最佳V/Ш比和温度分别为400和625 ℃.

关键词：V/Ш比、表面形貌、光学特性、(111)A、InGaAsP

所属期刊栏目：19

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA311070;国家重点基础研究发展计划973计划G2000036606

在线出版日期：2004-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：87-91