氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

摘要：

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.

关键词：氮化镓基LED、欧姆接触、氧化

所属期刊栏目：19

分类号：TN141;TN312.8(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金60276010;国家高技术研究发展计划863计划2001AA313060

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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