PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

摘要：

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.

关键词：PECVD法、多晶硅薄膜、低温制备

所属期刊栏目：18

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：广东省科技厅科研项目130-122084

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：201-204