多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

摘要：

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.

关键词：多晶硅薄膜晶体管、反应性离子刻蚀、刻蚀速率、选择比

所属期刊栏目：17

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目KY951-A1-502;国家自然科学基金69876040;吉林省科技厅科技攻关项目970103-01;吉林省科技发展计划20010305

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64