10.3969/j.issn.1007-2780.2001.03.007
多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂浓度及掺杂区宽度等, 研究薄膜晶体管的开关电流比值. 由此确定像素各部分的尺寸, 对液晶显示器件进行优化设计.
液晶显示、多晶硅薄膜晶体管、优化设计、源漏轻掺杂液
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TN141.9(真空电子技术)
中国科学院科技攻关项目KY951-A1-502;吉林省科技攻关项目970103-01;国家自然科学基金69876040
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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