10.3969/j.issn.1007-2780.2000.03.006
掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究
利用蒸发和溅射工艺,研究了CdSe-TFT的制作,特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究.实验中观察到CdSe掺In后,TFT的I-V特性明显得到改善,得到了性能稳定的TFT器件.利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释.
CdSe、薄膜晶体管、掺杂
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TN321.5(半导体技术)
国家科技攻关项目715-003-0070
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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