10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.005
低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究
研究了溅射Ta膜的电学和结构特性与N2气分压的关系.并确定了电学性能稳定低阻α-Ta薄膜(电阻率34μΩ·cm)的制备工艺条件.
α-Ta、直流磁控溅射、x射线衍射、方块电阻
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TN321.5;O484.4(半导体技术)
中国科学院重大项目KY951-A1-502;吉林省科技厅科技攻关项目9701103-01
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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