高迁移率聚合物半导体材料最新进展

摘要：

自20世纪80年代以来,聚合物半导体材料及其薄膜场效应晶体管器件(OFETs)已取得系列突破性进展.目前,已有数百种聚合物半导体材料被成功应用于OFETs中,空穴迁移率值最高已达36.3 cm2·V-1·s-1,可与有机小分子半导体材料甚至可同无定形硅相媲美.综述了近年来国内外高迁移率聚合物半导体的最新进展.分类对比总结和评述了空穴传输型(p-型)、电子传输型(n-型)和双极传输型聚合物半导体材料,并对聚合物半导体材料分子设计思路、薄膜OFETs器件制备及其性能参数进行了重点阐述.同时,总结了聚合物半导体材料的分子结构、聚集态结构与OFETs器件性能之间的内在关系,为今后设计与合成综合性能优异的聚合物半导体材料提供一定理论指导.

关键词：有机场效应晶体管、聚合物半导体材料、高迁移率、空气稳定

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资助基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China No.51403177,the Natural Science Foundation of Hunan Province No.2015JJ3122,the China Postdoctoral Science Foundation Nos.2015T80877,2014M552141,and the Science and Technology Planning Project of Hunan Province No.2015RS4025.国家自然科学基金No.51403177、湖南省自然科学基金No.2015JJ3122、中国博士后基金Nos.2015T80877,2014M552141和湖南省科技厅No.2015RS4025资助项目.

在线出版日期：2016-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：460-479