基于四硫富瓦烯衍生物Langmuir-Blodgett膜的研究进展

摘要：

在简要介绍了Langmuir-Blodgett(LB)膜的基础匕主要依据制备LB膜的四硫富瓦烯(TTF)衍生物化学结构的不同,概括了基于两亲性TTF衍生物、非两亲性TTF衍生物、TTF电荷转移(CT)复合物或盐、以及TTF金属络合物LB膜的制备、结构表征与性能研究进展.介绍了基于TTF衍生物的LB膜在导电、化学及生物传感器、光学以及磁性方面的应用,并对基于TTF衍生物LB膜的发展进行了展望.

关键词：四硫富瓦烯、Langmuir-Blodgett膜、导电性、光学、传感器、磁性

所属期刊栏目：29

分类号：O64;O61

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金和上海市自然科学基金06ZR14001

在线出版日期：2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：197-205