火花放电原子发射光谱仪分析高含量硅时校准曲线的扩展与应用

摘要：

火花放电原子发射光谱仪分析高含量Si(w(Si)≥3.0％)时,其元素含量已超出了校准曲线的线性范围,导致分析值偏低.实验通过增加中低合金钢、硅钢标准样品,完善并扩展了Si校准曲线,完成了共存元素的干扰校正,拓宽了Si元素的分析范围,质量分数上限由3.14％扩展至4.16％,线性相关系数达0.999 65.校准曲线扩展后重新选择标准化样品进行漂移校正,校准曲线强度比由9.41扩展至11.01.对扩展含量段的两个样品(w(Si)≥3.0％)进行精密度考察,结果的相对标准偏差(RSD,n=10)为0.43％和0.50％;对比了8个不同Si含量的样品,发现完善、扩展后校准曲线的Si测定值与认定值更相符;同时统计过程控制(SPC)控制图处于受控状态.可见校准曲线经完善、扩展后可满足工艺过程控制和成品分析要求.

关键词：火花放电原子发射光谱法、高含量硅、校准曲线、扩展、干扰校正

所属期刊栏目：39

分类号：O657.34;TF03+1(分析化学)

在线出版日期：2019-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：59-63