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10.13228/j.issn.1000-7571.2014.10.008

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼

引用
研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法.试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3 mL甘露醇,可有效抑制硼的损失.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si),可控制样品空白中硼元素含量小于1 μg/L,并能抑制部分基体效应.在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641 nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10 μg/L,回收率在92%~108%之间,相对标准偏差(RSD,n=11)不大于7.2%.样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合.

电感耦合等离子体原子发射光谱法、太阳能级硅、洁净室、硼

34

O657.31(分析化学)

2014-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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1000-7571

11-2030/TF

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2014,34(10)

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