高频红外吸收法测定工业硅中碳
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.13228/j.issn.1000-7571.2014.07.010

高频红外吸收法测定工业硅中碳

引用
研究了高频红外吸收法测定工业硅中碳含量的主要影响因素,包括坩埚选择、氧气纯度、助熔剂选择及加入方式、样品量、助熔剂与样品的混合方式以及质量配比等方面,确定了最佳的检测条件.结果表明,采用经过预处理的超低碳硫分析专用坩埚、高纯氧气和钨锡铁复合助熔剂,样品燃烧充分,碳释放完全,分析结果稳定,空白值最低为0.001 0%.采用实验方法对实际样品进行分析,结果的相对标准偏差为2.5%~4.4%;对工业硅标准样品分析时测量值与认定值一致.

高频红外吸收法、工业硅、碳、复合助熔剂

34

O659.2(分析化学)

2014-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

56-59

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

冶金分析

1000-7571

11-2030/TF

34

2014,34(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn