10.3969/j.issn.1000-7571.2013.01.004
锡(Ⅱ)在壳聚糖-多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为及其测定
制备了壳聚糖(CTS)-多壁碳纳米管(MWCNT)修饰玻碳(GCE)电极,利用差分脉冲溶出伏安法研究了锡(Ⅱ)在该电极上的电化学行为,探讨了电极反应机理.在优化测定条件的基础上,提出了一种测定痕量锡(Ⅱ)的新方法.在1.0 mol/L的盐酸溶液中,于-1000 mV电位处锡(Ⅱ)被富集在修饰电极表面,在-1 000~0.00 mV电位范围内,以800 mV/s的扫描速率,锡(Ⅱ)在-630 mV电位处产生一灵敏的溶出峰,峰电流与锡(Ⅱ)的浓度在4.2×10-8~1.3×10-5 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为3.1×10 9 mol/L.方法应用于生铁和合金钢样品中痕量锡(Ⅱ)的测定,结果与火焰原子吸收光谱法(FAAS)的测定结果基本一致.
壳聚糖、多壁碳纳米管、修饰玻碳电极、锡(Ⅱ)
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O657.1(分析化学)
2013-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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