极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究

摘要：

研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质.用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质.发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件.

关键词：碳化硅、MOS、硝酸氧化、傅里叶变换红外光谱、深能阶瞬态光谱

所属期刊栏目：31

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：非常感谢对日本学术振兴会;下述斯洛伐克基金会:APVV-项目编号0577/07以及VEGA-项目编号2/0123/09对本研究提供的支持

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：15-20