10.3969/j.issn.1000-7571.2004.z1.074
辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究
介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
辉光放电、光谱法、掺杂、纳米硅薄膜
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TF0(一般性问题)
2005-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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