C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究

摘要：

基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证.计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱.

关键词：C/SiC材料、主动氧化、被动氧化、烧蚀预测模型

所属期刊栏目：40

分类号：V211.3(基础理论及试验)

资助基金：国家自然科学基金11802296

在线出版日期：2019-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：223-230