嵌入式SRAM的一种高可靠性内建冗余分析策略研究

摘要：

为有效提高嵌入式静态随机访问存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的可靠性,进而确保整个航天电子系统的可靠运行,通过对嵌入式SRAM故障分布特点的分析,给出了一种改进的存储器架构.采用列块修复与行单元修复相配合的方法,并在此基础上提出了二维冗余模块存在故障的内建冗余分析( Built-In Redundancy Analysis, BIRA)策略.该策略高效运用了设置的行修复寄存器与列修复寄存器,极大地提高了故障的修复率.通过64×8位的SRAM仿真实验验证了提出的内建冗余分析策略的可行性,有效确保了系统在冗余模块和主存储器都存在故障的情况下的高可靠运行.

关键词：嵌入式SRAM、可靠性、存储器架构、内建冗余分析、故障修复率

所属期刊栏目：31

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金90505013,60871009;南京航空航天大学专项科研基金NS2010082

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2597-2603