高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用

摘要：

在HI-13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束-Q3D磁谱仪焦面辐照方法.已得到的LET值为86.7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调.论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验.

关键词：串列加速器、高剥离态、抗辐射加固、磁谱仪、烧毁效应

所属期刊栏目：25

分类号：V520.6(航天术)

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：453-458