10.11977/j.issn.1004-2474.2023.01.029
新型LTCC高隔离低插损3 dB 90°电桥设计
基于宽边耦合带状线结构,该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的高隔离低插损3 dB 90°电桥.该电桥使用螺旋耦合线有效地减小了器件尺寸,同时以对称式结构建模更便于后期的优化调整.在宽边螺旋耦合带状线垂直方向引入一个伸入式可调隔离电容,极大地提高了该电桥的隔离度,使其可达27 dB,且插入损耗≤0.2 dB,较之传统的定向耦合器结构,其在提升性能的同时大幅减小了器件尺寸.对耦合线直角拐弯处的电场强度进行分析与优化,采用45°斜切的方式使拐角处的电场强度与直线处大致相等.对上接地金属板进行环形镂空处理,这将改善带内的幅度平衡度.该文设计的3 dB 90°电桥通带为0.96~1.53 GHz,插入损耗≤0.2 dB,幅度平衡度≤±0.7 dB,相位平衡度为90°±1°,隔离度≥27 dB,其具有良好的应用市场.
低温共烧陶瓷、3 dB 90°电桥、螺旋耦合线、隔离电容、幅度平衡度
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TN384;TN713;TN82(半导体技术)
2023-04-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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