10.11977/j.issn.1004-2474.2019.06.007
高次谐波体声波谐振器的频率修正方法研究
基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的一维纵向振动模型,研究了获得工作在某一谐振频率HBAR的几种频率修正方法,即减薄基底或顶电极,或在其表面沉积薄膜,并讨论了频率修正前后其有效机电耦合系数(Keff2)和机械品质因数(QM)的变化情况.结果 表明,对于该文结构的HBAR,减薄基底的频率修正方法最佳,其对Keff2和QM的影响最小;若选择沉积薄膜法进行频率修正,其对Keff2的影响不大,但对QM的影响较大,故宜选择沉积低损耗的材料.
高次谐波体声波谐振器、谐振频谱、有效机电耦合系数、机械品质因数、频率修正
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TN384;TN65(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目11804256;中国科学院重点部署基金资助项目QYZDY-SSW-JSC007
2020-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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