铁电负电容场效应晶体管器件的研究

摘要：

铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一.该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响.

关键词：铁电负电容场效应晶体管、低功耗晶体管、亚阈值摆幅、铁电材料、铁电电容

所属期刊栏目：41

分类号：TN384;TM22+1;O47(半导体技术)

资助基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目ZHD201601;中央高校基本科研业务费专项基金资助项目ZYGX2016J047

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：782-785