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10.11977/j.issn.1004-2474.2019.05.011

基于可变电容反馈技术的宽带VCO设计

引用
该文提出了一种用于展宽Colpitts压控振荡器(VCO)调谐范围(TR)的技术.为了实现宽调谐范围,采用一种可变电容反馈技术,该技术同时可得到优于传统Colpitts VCO的相位噪声.且该结构采用动态正向衬底自偏技术,以实现VCO较低功耗、易于起振的特性.基于90 nm CMOS工艺,设计了一款VCO,其相位噪声为--101.9 dBc/Hz@1 MHz,调谐范围为28.1%,考虑调谐范围的品质因数可达-192.2 dBc/Hz.芯片在1V电压供电下,消耗了5.8 mW,芯片面积为0.45 mm2.

压控振荡器、宽调谐范围、可变电容反馈、低相位噪声、低功耗

41

TN432(微电子学、集成电路(IC))

国家重大研发计划项目2016YFC0800506

2019-11-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

657-660

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1004-2474

50-1091/TN

41

2019,41(5)

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