p型掺杂ZnO薄膜的光致发光特性研究

摘要：

采用磁控溅射技术,以N2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性.结果表明,掺杂ZnO薄膜在360 nm、380 nm处出现主荧光峰,409 nm、440 nm处出现次荧光峰,而且随着N掺杂量的不同,主、次荧光峰-峰位和强度都会发生变化.当O2:N2的体积流量比为15:5时,薄膜中N含量最大,荧光谱中发光峰强度最佳,霍尔效应检测薄膜具有明显的p型导电特征.

关键词：p型掺杂、光致发光(PL)谱、磁控溅射、受主杂质、缺陷浓度、红移、蓝移

所属期刊栏目：40

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：安徽省重点研究与开发计划基金资助项目1704a0902010,1704a0902014

在线出版日期：2018-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：503-506