Zn取代Cu对CCTO陶瓷高、低频介电性能的影响

摘要：

采用传统固相法制备了CaCu(3-x)ZnxTi4O12(CCTO,x=0,0.04,0.08,0.12)陶瓷.用X线衍射仪和扫描电子显微镜研究了Zn2+掺杂含量的变化对CaCu(3-x)ZnxTi4O12陶瓷的相结构、微观形貌的影响规律,并研究了CaCu(3-x)ZnxTi4O1.陶瓷的低、高频介电性能.结果表明,少量Zn2+的加入影响CaCu(3-x)ZnxTi4O12陶瓷的相结构和微观形貌.在低频范围内,CaCu(3x)ZnxTi4O12陶瓷均具有巨介电常数(＞104),且CaCu2.92Zn0.08Ti4O12陶瓷的介电常数温度依赖性小,介电损耗最小,这加速了CCTO陶瓷在陶瓷电容器方向应用的潜力.在微波频段(5.85～8.2 GHz)范围内,CaCu(3-x)ZnxTi4O12陶瓷均具有介电弛豫现象,CaCu(3-x)ZnxTi4O12陶瓷的介电常数实部随掺杂量的增加而减小,介电常数虚部和损耗对应的频率变化趋势与实部一致.

关键词：CaCu3Ti4O12陶瓷、相结构、微观形貌、介电性能

所属期刊栏目：38

分类号：TN282;TB34(光电子技术、激光技术)

资助基金：宝鸡文理学院重点基金资助项目ZK15044;陕西省教育厅专项基金资助项目15JK1021;国家青年科学基金资助项目21501007

在线出版日期：2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：956-960