ZnO掺杂对PNN-PZT陶瓷结构及压电性能的影响
通过传统的固相烧结法制备了Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5(ZraTib)0.5O3+x％ZnO(PNN-PZT+x％ZnO,质量分数x=0.2,0.4,0.6,0.8)压电陶瓷,该文研究了不同ZnO含量对PNN-PZT压电陶瓷的微观形貌、相结构及压电性能的影响.通过X线(XRD)表明,过量的ZnO加入使压电陶瓷出现焦绿石相;通过扫描电镜(SEM)分析表明,当x＞0.4时,ZnO的加入由于烧结温度的降低,晶界不明显.实验表明,烧结温度为1 190℃保温2h,ZnO的掺杂量x=0.4时,压电材料的综合性能最好:介电常数εr=5 596,介电损耗tan δ=2.12％,压电常数d33 =534 pC/N,机械耦合系数k.=0.53.
固相烧结法、PNN-PZT、相结构、微观形貌、电学性能
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TN384(半导体技术)
贵州省国际科技合作计划基金资助项目黔科合外G字[2012]7010号;贵州省工业攻关基金资助项目黔科合GY字[2013]3075
2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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