AIN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

摘要：

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm2.利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5 μm厚的A1N薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力.带A1N薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm2.

关键词：磁控溅射、镍锌铁氧体基片、AlN薄膜缓冲层、TaN薄膜电阻器、功率密度

所属期刊栏目：38

分类号：TN384;TM54;TB43(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50972023

在线出版日期：2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：920-922