10.3969/j.issn.1004-2474.2015.06.032
退火工艺对YIG多晶薄膜铁磁共振线宽的影响
主要研究了退火工艺对钇铁石榴石(YIG)薄膜铁磁共振线宽的影响.实验中微米级的YIG薄膜通过磁控溅射法在Gd3 Ga5O12(GGG) (111)衬底上制备,并通过750～950℃常压常规退火及750～850℃真空快速退火两种方式对薄膜进行退火晶化处理.最终系统地研究了薄膜的微观晶体结构、磁性能和铁磁共振线宽性能.研究发现,经过800℃,10 min的真空快速热处理的YIG薄膜磁性能优异,其铁磁共振线宽为2 626.1 A/m@9.3 GHz,阻尼系数α=2.077×10-3,薄膜表面粗糙度为1.9 nm.
钇铁石榴石(YIG)、快速退火、射频磁控溅射、铁磁共振线宽(FMR)、阻尼系数
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TN384(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61021061,5127203,51002021,61131005;国际合作基金资助项目2012DFR 10730,2013HH0003 and 2012CB933104,111project B13042
2016-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1053-1056,1060
