激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质

摘要：

采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况.结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×1012 eV-1·cm-2,主要分布在距离Si衬底价带顶0.26 eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成.

关键词：AlN/Si(111)、异质结、激光分子束外延、空间电荷限制电流、电导法、界面态密度

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分类号：TN384;O484.4+2(半导体技术)

资助基金：河南省高校科技创新人才支持计划基金资助项目Grant no.2012 IRTSTHN004;中国国家自然科学基金资助项目51202057,61350012

在线出版日期：2016-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1043-1046,1052