大尺寸LGT、LGN晶体生长及性能研究

摘要：

报道了La3 Ga55Ta05O14(LGT)和La3Ga55Nb05O14(LGN)压电晶体的生长及其性能研究.采用提拉法成功生长了乃80 mm×90 mm的晶体.采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并测试了电阻率随温度的变化.测试结果表明晶体存在良好的压电性能,在高温传感器领域具有巨大的应用价值.

关键词：La3Ga5.5Ta0.5O14、La3Ga5.5Nb0.5O14、提拉法、压电性能、电阻率

所属期刊栏目：37

分类号：TN384;O73(半导体技术)

资助基金：总装预研基金资助项目513120605;总装技术推动基金资助项目1407XM0800

在线出版日期：2016-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：957-959