FBAR用氮化铝压电薄膜研究

摘要：

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法.采用双S枪中频(40 kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜.采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜.对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良.对够4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5％.对黟4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100～+100 MPa及-150～+220 MPa;对彩4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5MPa.对乃4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2.

关键词：氮化铝压电薄膜、膜厚均匀性、薄膜应力

所属期刊栏目：37

分类号：TN65(电子元件、组件)

资助基金：国家重点研究基金

在线出版日期：2016-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：934-936