CeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷的性能研究

摘要：

该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响.结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0％时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7 V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗.

关键词：压敏陶瓷、烧结温度、CeO2掺杂、压敏性能、介电性能

所属期刊栏目：37

分类号：TM282(电工材料)

资助基金：国家高技术研究发展计划“八六三”计划基金资助项目2013AA031803

在线出版日期：2015-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：287-290