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CeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷的性能研究

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该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响.结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7 V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗.

压敏陶瓷、烧结温度、CeO2掺杂、压敏性能、介电性能

37

TM282(电工材料)

国家高技术研究发展计划“八六三”计划基金资助项目2013AA031803

2015-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

287-290

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37

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