铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究
该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能.采用提拉法成功生长了Φ55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体.采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性.测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性.
La3Ga5.5Nb0.5O14晶体、提拉法、压电性能
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TN304;O73(半导体技术)
总装备部预研项目
2015-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
274-276