衬底温度对ScAlN薄膜结构及电阻率的影响

摘要：

采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶(含Sc质量分数10％)制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压(I-V)模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响.结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的(002)择优取向愈发明显,在650℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650℃、700℃时分别达到3.064 nm和2.804 nm,但当温度达到700℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650℃为获得最佳结晶质量薄膜的适当温度.ScAlN薄膜电阻率随制备时衬底温度呈先增大后减小的趋势.

关键词：ScAlN薄膜、磁控溅射、微观结构、表面形貌、电阻率

所属期刊栏目：35

分类号：TN65;TM135(电子元件、组件)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目

在线出版日期：2014-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：866-868,914