不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响

摘要：

采用高真空电子束蒸发法制作了基于4 H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni.常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4 H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理.对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875℃退火温度下欧姆接触特性最好,400℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029 eV.

关键词：SiC、欧姆接触、快速热退火、肖特基势垒

所属期刊栏目：35

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项基金资助项目ZYGX2011J031

在线出版日期：2013-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：419-422