溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响

摘要：

采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜.利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征.结果表明,不同溅射功率下生长的A1N薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好.同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AIN薄膜呈柱状生长.

关键词：AlN/ZnO薄膜、溅射功率、择优生长、结构、表面形貌

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2013-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：416-418,422