低温下磁控溅射AIN薄膜择优取向研究

摘要：

研究了衬底温度从-20～20℃下射频磁控溅射A1N薄膜的择优取向程度.利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对A1N薄膜的晶体结构、租糙度及表面和断面形貌进行了分析.研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AIN薄膜中的(100)衍射峰消失,A1N薄膜以(002)面择优取向生长.当衬底温度降低时,AIN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小.AIN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度.

关键词：AIN薄膜、衬底温度、结构、形貌

所属期刊栏目：35

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

在线出版日期：2013-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：273-275