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10.3969/j.issn.1004-2474.2012.03.026

B2O3对BMT微波陶瓷结构及介电性能的影响

引用
研究了w(B2O3)=0.5%~3.0%(质量分数)对Ba( Mg1/3 Ta2/3)O3 (BMT)微波介质陶瓷结构和微波特性的影响.实验结果表明,B2O3掺杂可促进烧结,当w(B2O3)=1%时,BMT陶瓷致密化烧结温度降至1 200℃左右,其表观密度ρ=7.306 g/cm3,相对密度达到95.7%,同时,陶瓷体系获得了良好的介电常数εr=22.08,品质因数Q·f=88 000 GHz(10GHz),频率温度系数τf=3.3×10-6/℃.

Ba(Mg2/3 Ta2/3)O3(BMT)、介电性能、微波介质陶瓷、介电常数

34

TM277(电工材料)

湖南省教育厅基金资助项目09C886

2012-08-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

417-420

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1004-2474

50-1091/TN

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