缓冲层和外部电阻抗对薄膜体声波谐振器频率特性的影响

摘要：

通过在AlN薄膜体声波谐振器上引入压电缓冲层和外部电阻抗来调节谐振器的频率特性,在考虑了缓冲层和外部电阻抗后,得到薄膜谐振器的输入电阻抗公式,并用来描述器件的机电行为.通过计算阻抗-频率谱评估了薄膜谐振器的频率特性和有效机电耦合系数k2eff,研究了缓冲层和外部电阻抗包括电阻、电感、电容对薄膜谐振器的阻抗-频率谱的影响.计算结果表明,外部电阻抗的引入可根本上改变薄膜谐振器的共振频率,且对k2eff有重要的影响.

关键词：FBAR、输入电阻抗、有效机电耦合系数、共振频率

所属期刊栏目：34

分类号：TN601(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50902062;教育部留学回国人员科研启动基金资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China50902062;the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, Ministry of Education

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：340-346