10.3969/j.issn.1004-2474.2012.02.035
应力对厚30nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟
从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30 nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响.结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小.
微磁学模拟、剩磁、矫顽力、应力
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TM271(电工材料)
国家重点基础研究发展计划“九七三”计划基金资助项目51613Z
2012-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
293-295,298