退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响

摘要：

采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征.结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密.随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小.

关键词：ZnO薄膜、退火温度、X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)

所属期刊栏目：34

分类号：TN805;TM215.3;TN65(无线电设备、电信设备)

资助基金：总装备部预研基金资助项目5141202

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：262-264