声表面波器件制作中的一种剥离技术

摘要：

介绍了一种适用于LiTaO3、LiNbO3基片的金属剥离工艺技术.该剥离技术利用碱性溶剂浸泡处理光刻胶,光刻胶顶层形成一层有利于剥离的突出遮蔽层.利用该技术可制作线宽小于0.5μm的SAW芯片.该技术无需额外设备,工艺稳定且成本低.

关键词：声表面波、表面处理、剥离工艺

所属期刊栏目：34

分类号：TN65(电子元件、组件)

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：163-165,168