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10.3969/j.issn.1004-2474.2011.04.027

溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究

引用
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带.采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿c轴择优取向生长.通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)=6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30 eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度.

掺镉ZnO薄膜、溶胶-凝胶法、透射光谱、光学禁带

33

TM215.3;TN304.2(电工材料)

2012-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

605-607,673

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1004-2474

50-1091/TN

33

2011,33(4)

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