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10.3969/j.issn.1004-2474.2010.03.034

ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响

引用
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性.

MnZn铁氧体、ZnO含量、微结构、起始磁导率、损耗、电阻率

32

TM277(电工材料)

国防科技预研基金资助项目51312030403;四川省科技攻关基金资助项目2006Z02-032

2010-08-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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